СХЕМА РИС.1 (см. сайт Зиновьева В.П.), В ОТЛИЧИЕ ОТ ПРЕДЫДУЩИХ СХЕМ, ПРИ БОЛЕЕ ЛУЧШЕЙ ПОМЕХОУСТОЙЧИВОСТИ ПОЗВОЛЯЕТ ПОДКЛЮЧАТЬ РАЗЛИЧНЫЕ НИЗКООМНЫЕ НАГРУЗКИ К ЭМИТТЕРАМ VT1,VT3.
Характеристики схемы определяются многими условиями. Схема содержит множество элементов и узлов, которые работают самостоятельно, в связях и имеют свои функции, а также зависят от внешней среды. Поэтому в схеме коррекцию нужно производить различными вариантами. Самогенерация схемы с собственными емкостями и индуктивностями на определенных частотах может привести к результатам повышения или понижения собственного КПД по формулам Зиновьева В.П.