см. сайты http://efald.ru
             http://efaldiv.ru

ВАРИАНТ ОТЛИЧАЕТСЯ ВВЕДЕНИЕМ ВТОРОГО ТРАНЗИСТОРА VT1 И ИЗМЕНЕНИЕМ ПОДАЧИ ПИТАНИЯ В СХЕМУ. В РЕЗУЛЬТАТЕ УВЕЛИЧИВАЕТСЯ КОЭФФИЦИЕНТ УСИЛЕНИЯ СХЕМЫ ПО НАПРЯЖЕНИЮ В ОПРЕДЕЛЕННОМ ДИАПАЗОНЕ ЧАСТОТ ПРИ ПОДКЛЮЧЕНИИ ДОПОЛНИТЕЛЬНОГО ДАТЧИКА К ТОЧКЕ "А". ЭТА СХЕМА ПОЗВОЛЯЕТ ВКЛЮЧАТЬ НИЗКООМНЫЕ ДАТЧИКИ ПРИ ОДНОВРЕМЕННОМ ЗНАЧИТЕЛЬНОМ УЛУЧШЕНИИ ПОМЕХОУСТОЙЧИВОСТИ ПО СРАВНЕНИЮ СО СХЕМОЙ ЭАДУСИЛИТЕЛЯ 1. В СХЕМЕ ВЕЛИЧИНОЙ R1 УСТАНАВЛИВАЕТСЯ МАКСИМАЛЬНОЕ ЗНАЧЕНИЕ ТОКА ЧЕРЕЗ VT1,VT2.
Характеристики схемы определяются многими условиями. Схема содержит множество элементов и узлов, которые работают самостоятельно, в связях и имеют свои функции, а также зависят от внешней среды. Поэтому в схеме коррекцию нужно производить различными вариантами. Самогенерация схемы с собственными емкостями и индуктивностями на определенных частотах может привести к результатам повышения или понижения собственного КПД по формулам Зиновьева В.П.

    см. сайты http://efald.ru
             http://efaldiv.ru